تولید تراشه‌های 3 نانومتری سامسونگ از سال 2022 آغاز می‌شود

[Soccer_Boy 211]

واحد خبر mobile.ir :

پس از کمپانی تایوانی TSMC، سامسونگ دومین سازنده مستقل محصولات نیمه‌رسانا در جهان به شمار می‌رود. طبق گزارشی که به تازگی از سوی وب‌سایت AnandTech منتشر شد، ظاهرا سامسونگ تغییراتی را در لیتوگرافی 3 نانومتری جدید خود اعمال کرده است. رقابت بر سر اینکه کدام یک از این دو کمپانی زودتر تراشه‌های 3 نانومتری خود را وارد بازار خواهند کرد، بالا گرفته اما طبق برخی شنیده‌ها، نخستین چیپ‌ست سامسونگ که قرار بود با لیتوگرافی 3 نانومتری موسوم به 3GAE ساخته شود، یک سال دیرتر از موعد به مرحله تولید خواهد رسید. همچنین، حذف 3GAE از نقشه راه سامسونگ، ممکن است مؤید این مطلب باشد که این لیتوگرافی فقط برای استفاده داخلی خواهد بود.

http://www.mobile.ir//s.mobile.ir/static/upload/articles/3788/samsung-to-begins-mass-production-of-its-3nm-gae-in-2022_01.jpg

پیش از انتشار نقشه راه جدید سامسونگ، نگرانی‌هایی در خصوص سالم بودن لیتوگرافی 3 نانومتری سامسونگ مطرح شده بود؛ در ابتدا قرار بر این بود که تولید مخاطره‌آمیز (risk production) با استفاده از این لیتوگرافی در سال 2020 و تولید انبوه در سال 2021 رقم بخورد. اما شواهد و قرائن نشان می‌دهد این امر حداقل یک سال به تعویق افتاده است. جالب است بدانید، دکتر چیدی چیدامبارام (Chidi Chidambaram)، معاونت مهندسی در کوالکام، زمان بهره‌برداری از تکنولوژی لیتوگرافی GAA را بین سال‌های 2023 تا 2024 تخمین زده است.

http://www.mobile.ir//s.mobile.ir/static/upload/articles/3788/samsung-to-begins-mass-production-of-its-3nm-gae-in-2022_02.jpg

به گفته یکی از مقامات سامسونگ، این شرکت در رابطه با لیتوگرافی 3GAE در حال مذاکره با مشتریان خود بوده و انتظار می‌رود تراشه‌های با این لیتوگرافی از سال 2022 به تولید انبوه برسند. لیتوگرافی پس از 3GAE – که سامسونگ نام 3GAP را برای آن انتخاب کرده – همچنان در نقشه راه سامسونگ قرار داشته و تولید انبوه آن (طبق برنامه) از سال 2023 آغاز خواهد شد. بد نیست بدانید، نقشه راهی که از آن صحبت می‌کنیم، در جریان رویداد Foundry Forum 2021 در چین رونمایی شد. البته سامسونگ با به‌روزرسانی نقشه راه فناوری خود، آن را مجددا در Baidu و Weibo نیز منتشر کرد.

http://www.mobile.ir//s.mobile.ir/static/upload/articles/3788/samsung-to-begins-mass-production-of-its-3nm-gae-in-2022_03.jpg

در رابطه با استفاده از معماری قدیمی‌تر FinFET، سامسونگ لیتوگرافی‌های 5LPP و 4LPP را به نقشه راه خود اضافه کرده که قرار است به‌ترتیب در سال‌های 2021 و 2022 به بهره‌برداری برسند. هنگام پرده‌برداری از لیتوگرافی‌های 3GAE و 3GAP در می 2019، سامسونگ اعلام کرد که این لیتوگرافی‌ها در مقایسه با 7LPP (که در حال حاضر لیتوگرافی نسل قبلی محسوب می‌شود) می‌توانند عملکرد چیپ‌ست را تا 35 درصد ارتقا داده و تا 50 درصد نیز از میزان مصرف بکاهند.

در همان سال 2019، سامسونگ آغاز تولید انبوه تراشه با استفاده از لیتوگرافی 3GAA را برای اواخر سال 2021 پیش‌بینی کرده بود، اما با توجه به موکول شدن این امر به سال 2022، می‌توان آن را به تأخیر از سوی سامسونگ و یا اشتباه در محاسبات این شرکت نسبت داد. در هر دو صورت، این وقفه چندان برای سامسونگ اهمیت نداشته، زیرا لیتوگرافی‌های Early سامسونگ، هنوز در مقیاس گسترده مورد استفاده سازندگان قرار نگرفته‌اند.

چند روز پیش بود که سامسونگ از یک تراشه 3 نانومتری با لیتوگرافی 3GAA در مرحله tape-out رونمایی کرد. tape-out در واقع آخرین مرحله از چرخه طراحی یک چیپ‌ست به شمار می‌رود که به یکی از دو پیامد زیر ختم می‌شود: یا تراشه با این طراحی به خوبی کار می‌کند و یا طراحی با موفقیت روبرو نمی‌شود. در هنگام موفق نبودن طراحی، اعمال برخی اصلاحات کوچک و در صورت نیاز، یک بازنگری کلی در طراحی، می‌تواند راهگشا باشد.

نمایش متن کامل