منابع خبری: ارائه نخستین دستگاه لیتوگرافی 28 نانومتری چین تا پایان سال جاری میلادی

[Soccer_Boy 211]

واحد خبر mobile.ir :

در سال 2020 میلادی دولت چین مطمئن بود که بدون استفاده از فناوری و تجهیزات ایالات متحده آمریکا تا پایان سال 2021 در مسیر ساخت تراشه‌های 28 نانومتری قرار دارد و تا اوایل سال 2023 میلادی هم نخستین تراشه‌های 20 نانومتری خود را به تولید خواهد رساند. این اطمینان بیش از هر چیز به پیشرفت شرکت Shanghai Micro Electronics Equipment یا به اختصار SMEE در توسعه فناوری لیتوگرافی مبتنی بر اشعه ماوراء بنفش مرتبط بود که برنامه‌ریزی کرده بود تا اولین دستگاه لیتوگرافی 28 نانومتری مونتاژشده را تا سه‌ماهه چهارم 2021 ارائه دهد.

http://www.mobile.ir//s.mobile.ir/static/upload/articles/5117/smee-reportedly-is-gearing-up-to-deliver-its-first-28nm-class-fabrication-process-scanner_01.jpg

حالا بر اساس گزارش تازه وب‌سایت TechWire آسیا به نقل از روزنامه محلی Securities Daily، کمپانی SMEE به عنوان برترین و موفق‌ترین سازنده اسکنر لیتوگرافی در چین، این هفته از برنامه شرکت برای‌ ساخت و ارائه نخستین اسکنر خود با قابلیت تولید با فرآیند 28 نانومتری تا پایان سال 2023 میلادی خبر داده است.

این اسکنر که SSA/800-10W نام دارد برای SMEE گام رو به جلویی محسوب می‌شود، چرا که پیشرفته‌ترین اسکنر این کمپانی در حال حاضر با فرایند 90 نانومتری کار می‌کند و ابزار لیتوگرافی جدید با قابلیت 28 نانومتری، به مرور سازندگان چینی تراشه را قادر می‌سازد تا در طیف وسیعی از فناوری‌ها به تجهیزات لیتوگرافی داخلی تکیه کنند. این اقدام بخشی از هدف گسترده‌تر چین و راهکار موسوم به Whole Nation دولت این کشور برای خروج از بحران صنعت نیمه‌هادی و دستیابی به خودکفایی در این حوزه از طریق تخصیص منابع و ارائه بسته‌های حمایتی به شمار می‌رود. اما پرسش اساسی این است که آیا SMEE می‌تواند این اسکنر را در شمارگان انبوه تولید کند و چه زمانی امکان جایگزینی ساخته‌های مجموعه چینی با محصولات Canon ،ASML و Nikon وجود خواهد داشت.

http://www.mobile.ir//s.mobile.ir/static/upload/articles/5117/smee-reportedly-is-gearing-up-to-deliver-its-first-28nm-class-fabrication-process-scanner_02.jpg

بر اساس آخرین دستورالعمل‌های صادراتی دولت ایالات متحده آمریکا، دسترسی سازندگان تراشه‌ چینی به ابزارها و فناوری‌های ضروری برای تولید تراشه‌های ترانزیستوری غیرمسطح با فناوری‌های زیر 14 و 16 نانومتر، چیپ‌های NAND سه‌بعدی با بیش از 127 لایه فعال و آی‌سی‌های DRAM با اتصال‌دهنده‌های half-pitch کوچک‌تر از 18 نانومتر محدود شده است. تحریم‌هایی که از اوایل پاییز در هلند، ژاپن و تایوان نیز به اجرا درآمده، دست شرکت‌های چینی مانند SMIC (به عنوان بزرگ‌ترین تولیدکننده محصولات نیمه‌رسانای این کشور) و YMTC را از ابزارهای پیشرفته کوتاه کرده است؛ چنان که سازندگان چینی نمی‌توانند به تولید تراشه با استفاده از تکنولوژی‌های تازه بپردازند و به توانایی آن‌ها برای تولید تراشه‌ با استفاده از جدیدترین فرآیندهای تولید خود به‌ویژه فرآیندهای 12 و 14 نانومتری و نسل دوم تراشه‌های 7 نانومتری SMIC و چیپ‌های NAND سه‌بعدی با 128 و 232 لایه YMTC آسیب زده است.

به این ترتیب چین به ابزارهای جدیدی نیاز دارد تا سازندگان داخلی تراشه با تکیه بر آن‌ها بتوانند محصولاتی را با فناوری‌های نسبتاً پیشرفته، مانند 14 نانومتری تولید کنند. در حال حاضر، به نظر می رسد که شرکت SMEE در مسیر رونمایی از اسکنر SSA/800-10W با قابلیت 28 نانومتر قرار دارد و آن را در اختیار SMIC یا سایر موسسه تحقیقاتی چینی در حوزه تراشه خواهد داد. بدیهی است که پس از این گام نخست، همچنان برای راه‌اندازی خط تولید شرکت‌ها بر اساس این دستگاه به زمان نیاز خواهد بود؛ امری که به نوبه خود به توانایی SMEE برای تولید تعداد کافی از این ابزارها هم بستگی خواهد داشت. نکته دیگر آن که در واقعیت نمی‌توان کار تولید تراشه را در یک کشور به طور مستقل انجام داد. به گفته ژانگ هونگ (Zhang Hong)، تحلیل‌گر صنعت نیمه‌رسانا «چین می تواند و باید به دنبال همکاری با کسانی باشد که از جهانی شدن حمایت می‌کنند و در این مسیر شریک مناسبی به شمار می‌روند.»

http://www.mobile.ir//s.mobile.ir/static/upload/articles/5117/smee-reportedly-is-gearing-up-to-deliver-its-first-28nm-class-fabrication-process-scanner_03.jpg

برای درک بهتر موضوع باید توجه کرد که پیشرفته‌ترین دستگاه لیتوگرافی EUV در حال حاضر بیش از 450 هزار قطعه دارد که 20 برابر بیش‌تر از تعداد قطعات یک ماشین مسابقه فرمول یک است. حتی شرکت هلندی ASML، به عنوان تولیدکننده پیشروی جهان، تنها 15 درصد از کل قطعات را خود تولید می‌کند و مابقی آن‌ها از زنجیره جهانی تأمین می‌شود.

نمایش متن کامل